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IGBT模塊是如何進行導通的添加時間:2019-07-16

IGBT模塊是如何進行導通的

  IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1),其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件?;膽迷诠荏w的P+和 N+ 區之間創建了一個J1結。 當正柵偏壓使柵極下面反演P基區時,一個N溝道形成,同時出現一個電子流,并完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。

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IGBT模塊是如何進行導通的?

如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內,那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區內,并調整陰陽極之間的電阻率,這種方式降低了功率導通的總損耗,并啟動了第二個電荷流。最后的結果是,在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲:一個電子流(MOSFET 電流); 一個空穴電流(雙極)。

如果大家對IGBT模塊是如何進行導通的有問題的,請聯系我們

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